IT之家 10 月 18 日新闻，根据《首尔经济日报》今日报道，三星电子将借助全球最大晶圆代工厂台积电的制程技术，来制造英伟达下一代定制化高带宽存储器（HBM）的关键组件——基底芯片（base die）。此前，三星提供的所有 HBM 产品中，存储核心芯片（core die）与作为系统半导体的基底芯片均由其自行生产。现在，三星决定顺应英伟达的技术要求，调整HBM的一体化全包生产模式。
业界知情人士于18日透露，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底芯片需采用台积电的3纳米工艺制造。英伟达还要求，核心芯片统一使用代号为1c的第六代DRAM技术。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构，是英伟达在8月推出的定制化高带宽存储器。
IT之家从报道中了解到，英伟达提出此要求的原因在于，各家HBM供应商的制造方案各异，难以通过统一设计实现稳定一致的性能。标准化还能减少为每家公司单独进行产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经内部评估后，决定接受英伟达的要求。
报道指出，对于标准HBM产品，三星仍会维持一体化全包生产策略。今年，三星在全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证；这两款产品的基底芯片均采用三星自主研发的4纳米代工工艺，核心芯片则在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。
面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续采用一体化全包生产方案。同时，三星也保留了在自家晶圆厂研发和制造NVHBM的选项。一位业内人士表示：“三星正在验证，是否能在自有产线上制造NVHBM基底芯片。这是一项备用计划，以防NVHBM需求超出台积电的产能上限。”
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